正誤表

改訂したにも関わらず、間違いが多くて申し訳ありません。

間違いを発見された方は、下の正誤表にないことをご確認の上、こちらまでメールをお願い致し ます。

ページ 場所
p.14 N1のカルノ-図と回路図 N1のC1 and not C0のループ N1は not S and C1 or not C0で良く、簡単化が不十分、回路図もこれに応じて修正
p.25 図2.14 pMOSとnMOSのサブストレートの矢印の方向 pMOSが出る方向(右)、nMOSは入る方向(左)に修正
p.30 例題2.3 Bのポリシリコン層がメタル層より上になっている メタル層の方を上に重ねるように修正
p.56 (6)の図2.37 GNDのメタルの場所 このため、答え(p.180)も変更
p.98 図4.11の上半分 解説不足と表の位置 上の図は74541、1pinはE1, 19pinがE2 2-9pinがD、18-11pinがY、 下の表は上の図に対応
p.98 図4.11の下半分 解説不足 下の図は74245、表が欠けているがG=L,DIR=L,B->Aにデータ転送、 G=L,DIR=H,A->Bに転送、G=Hの時は3ステート状態 対応
p.127 図6.2 セレクタがそのまま出力に行ってしまう セレクタの出力にバッファを付けた方が解説と合う
p.129 図6.4 (b) A0-A16 A0-A18
p.131 図6.5 CS1のbar, CS2 CSのbar, OEのbarに変更
p.132 解答 EPROM同様を削除 ちなみに、CS, OEの場所を入れ替えた場合、TpHL(AC00)*TOE=7*6=13nsec
p.138-141 SDRAM, DDR-SDRAMのタイミング図、例題6.2,6.3およびその解答 図が不適切で解説不足です。 p.138の改訂版 p.139の改訂版 p.140の改訂版 p.141の改訂版
p.180 2章{6)の答え A+BC AB+C
p.183 6章{3)aの答え SDR-SDRAM:バースト長4 21.3MB/sec 10 clockで4X4B=213MB/sec
p.183 6章{3)aの答え2 DDR-SDRAM:バースト長4 30.5MB/sec 8 Clockで4X4B=266MB/sec
p.183 6章{3)bの答え SDR-SDRAM:バースト長8 32.8MB/sec 14 clockで4X8B=304MB/sec
p.183 6章{3)bの答え2 DDR-SDRAM:バースト長8 47.4MB/sec 10 clockで4X8B=320MB/sec



戻る
天野 英晴
Last modified: Tue Jul 14 14:35:50 JST 1998